Мощный MOSFET — правильно ли я понимаю, что параметры управления подходят?

Gate Threshold Voltage - это напряжение, при котором только НАЧИНАЕТСЯ открытие канала транзистора. Полностью он будет открыт при напряжении значительно большем, обычно это 15В. Если через транзистор предполагается большой ток - обязательно нужно ставить драйвер, иначе транзистор откроется не полностью, канал будет иметь высокое сопротивление и транзистор и может перегреться.

Да, Gate Threshold Voltage - это пороговое напряжение после которого транзистор откроется полностью, для этого на затвор (G) транзистора нужно подать напряжение между 4 и 20 вольт. Лучше - ближе к середине.
Так как это N-канальный транзистор, то управляется он отрицательным напряжением, т.е. напряжение на ножке G относительно ножки S должно быть от -4В до -20В.
Вот для наглядности: https://youtu.be/S1UtbfI20OY
Частота 1кГц - норм. Собственно скорость переключения зависит от сопротивления на линии управления затвором. Но сильно уменьшать это сопротивление не нужно, потому как это приводит к увеличению пикового тока через выходной ключ Ардуино при зарядке емкости в MOSFETе (как сказано в видео). Также можем приблизиться к параметру Peak Diode Recovery (предельная скорость нарастания напряжения) - а оно нам надо?! )
Более правильным будет управлять через оптопару, чтобы разделить цепи управления и силовые цепи. Или хотя бы через промежуточный управляющий транзитор, операционник, ключ-сборку (ULN2003A), драйвер MOSFET